Рассмотрена возможность получения эффективных фотоэлектрических преобразователей (ФЭП) III поколения. Исследованы гетероструктуры на основе GaAs c квантовыми точками (КТ) InAs, полученными в процессе жидкофазной эпитаксии методом импульсного охлаждения насыщенного раствора в расплаве индия или олова. Характеристики ФЭП, изготовленных на основе гетероструктур, содержащих КТ в области р–n-перехода, уступали контрольным фотопреобразователям, изготовленным на таких же структурах, но без КТ. Фотопреобразователи, содержащие КТ в р-области, не уступали контрольным и даже были несколько лучше.
