Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Краснов, В. А.
    Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа [Текст] / Институт физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева, г.Киев, Украина // Технология и конструирование в электронной аппаратуре  : научно-технич. журнал / АО "Нептун". — С. 38-40.


Автор: Краснов В.А., Шварц Ю.М., Шварц М.М., Копко Д.П., Ерохин С.Ю., Фонкич А.М., Шутов С.В., Сыпко Н.И.

- Анотація:

Разработка структур GaP из жидкой фазы. В диапазоне температуры 80—520 К измерены термометрические и вольт-амперные характеристики опытных образцов диодных сенсоров температуры и определены их основные технические параметры. Показана перспективность применения разработанных GaP-диодов в качестве чувствител­ных элементов высокотемпературных сенсоров.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Фізичні основи машинобудування та техніки. Застосування фізики в техніці в цілому



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт