Представлены результаты исследований по оптимизации режимов предэпитаксиальной обработки подложек GaSb химическим травлением в смесях на основе неорганических кислот. Показано, что использование двухстадийной химической обработки пластин в травителях HNO3:HF:H2O=3:1:2 и H2OHF:H2O=4:1:15 позволяет удовлетворить требования, предъявляемые к подложкам GaSb при жидкофазной эпитаксии. Найдены оптимальные режимы предэпитаксиальной обработки подложек GaSb, обеспечивающие значение шероховатости поверхности не более 0,05 мкм и равномерное смачивание подложек раствором-расплавом.