|
Автор: Филатов П.А., Бублик В.Т., Белоусова Ю.Е., Щербачев К.Д., Воронова М.И.
-
Анотація:
Исследованы монокристаллы GaP(S). выращенные методом Чохральского. Выявлено, что в монокристаллах GaP(S) содержание серы в форме мелкого донора в случае ее концентрации<1.10 19 см-3 составляет 0.12 от общего количества серы в кристалле.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Аналіз кристалів із застосуванням рентгенівських променів ( рентгенографічний аналіз )
-
УДК // Електронні напівпровідники
| 