Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Литовченко, В. Г.
    Механизм термостабильности Si большого диаметра, полученного методом Чохральского [Текст] / Институт физикии полупроводников им.В.Е.Лашкарева НАН Украины // . — С. 37-42.


Автор: Литовченко В.Г., Лисовский И.П., Кладько В.П., Ефремов А.А., Злобин С.А., Слободян Н.В.

- Анотація:

Методами ИК-спектроскопии с компьютерным анализом формы полосы поглощения на Si-O-связях, электронной микроскопии, дифракции рентгеновских лучей и измерения спада нестационарной фотопроводимости проведено экспериментальное исследование процессов создания кислородных преципитатов в результате двухстадийного отжига в слитках кремния разного диаметра (40-300 мм).

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт