Приведены данные компьютерного моделирования изображения мениска кристалла, выращиваемого из высокотемпературного расплава методом Чохральского. Исследуются тонкая структура изображения зоны кристаллообразования, формируемого оптической проекционной системой, и различные его составляющие, обусловленные собственным излучением нагревателя, расплава и кристалла, а также отражениями излучения от поверхностей расплава и кристалла. Анализируются причины возникновения параллакса изображения мениска, приводятся оценки его влияния на метрологические характеристики оптической системы контроля геометрии кристалла
