Рассчитан профиль концентрации фотогенерированных неравновесных электронов по толщине трехслойной пленочной структуры -КРТ в скрещенных электрическом и магнитном полях, в которой ширина запрещенной зоны центральной области постоянна, а в прилегающих варизонных областях увеличивается. Показано, что трехслойную структуру с варизонными областями можно заменить однородной пленкой, введя эффективные темп поверхностной генерации и скорости поверхностной рекомбинации на границах центральной и варизонной областей.
