Изучены особенности образования трещин при выращивании кристаллов CdZnTe (КЦТ) методом вертикальной направленной кристаллизации. Установлены причины, приводящие к образованию трещин и поверхностных дефектов в процессе выращивания и охлаждения кристаллов в кварцевой ампуле с кремнийорганическим покрытием. Установлена взаимосвязь коэффициента интенсивности напряжений К1c с параметрами процесса выращивания и структурными особенностями полученных кристаллов. Показано, что увеличение диаметра выращенных слитков приводит к уменьшению К1c, что объясняется увеличением уровня остаточных напряжений. Определен безопасный уровень остаточных напряжений в кристаллах КЦТ, при котором можно проводить их механическую обработку.
