Установлено, что скорости релаксации предварительно образованного сильным освещением ансамбля метастабильных дефектов в пленках a-Si : Н в темноте и при наличии слабой подсветки различны и зависят от интенсивности подсветки. Подсветка изменяет также распределение метастабильных дефектов в ансамбле по времени релаксации. Показано, что это обусловлено наличием при подсветке трех процессов: термической релаксации, фотоиндуцированной релаксации и фотоиндуцированного образования метастабильных дефектов.
