Представлены результаты исследования влияния условий получения структур ЗС-SiC на кремнии на скорость эпитаксиального роста и морфологию поверхности слоев. Определены факторы, лимитирующие скорость роста. Показано, что на скорость роста и морфологию поверхности существенно влияют процессы гомогенной и гетерогенной кристаллизации в реакторе.
