Представлены результаты исследования переноса носителей заряда в слоях анизотропного мезопористого кремния, полученного методом электрохимического травления пластин монокристаллического кремния р++-Si:В с ориентацией поверхности (110). Измерения электропроводности проведены вдоль кристаллографических направлений [110], [001] и [110]. Обнаружено, что значения удельной электропроводности и энергии активации значительно различаются для разных кристаллографических направлений. На основании результатов исследования температурных зависимостей электропроводности показано, что энергии активации для направлений [110], [001] и [110] равны 0,35, 0,43 и 0,46 эВ соответственно. Сделано предположение о существовании потенциальных барьеров на границах нанокристаллов, влияние которых может существенно различаться при переносе носителей заряда вдоль разных кристаллографических направлений.

Известия вузов. Материалы электронной техники. [Текст] // Известия вузов. Материалы электронной техники ; Министерство образования РФ - М. : МИС и С. — 2008.

• УДК // Передача електрики, провідність. Електрична провідність
• УДК // Фізика конденсованої матерії. Фізика твердого тіла