Рассмотрено влияние различных конструкций теплового экрана вблизи поверхности монокристалла кремния большого диаметра на его температурное поле при выращивании методом Чохральского. На основе метода математического моделирования разработана компьютерная модель тепловых процессов применительно к конструкции теплового узла установки «Редмет-90М», предназначенной для выращивания монокристаллов кремния диаметром 200 мм. Исследована роль кольцевого экрана и экранной сборки, состоящей из двух экранов (внутреннего — конуса и внешнего — повторяющего форму тигля) и являющейся основой ряда патентов. С учетом сделанных оценок предложена новая конструкция сборки теплового экрана для установки «Редмет-90М». Обсуждено ее влияние на формирование характерных тепловых зон в растущем монокристалле, ответственных за процессы дефектообразования в бездислокационных монокристаллах кремния (рекомбинация собственных точечных дефектов и образование их агломератов). Проанализировано влияние течения расплава на форму фронта кристаллизации и тепловую устойчивость процесса выращивания.
