Изучено изменение структурного состояния собственных точечных дефектов на примере GaAs, выращенного из раствора-расплава с избытком Ga. Показано, что существенным фактором, формирующим структуру нестехи о метрических кристаллов при охлаждении после кристаллизации, является процесс выпадения избыточного галлия. Форма микродефектов позволяет полагать, что в результате взаимодействия точечных дефектов, образующихся при распаде (VGa и Gai) с остаточными точечными дефектами, формирующимися при кристаллизации (Asi и VAs), возникают комплексы (GaAs)i и VGaAs. Последующая коагуляция этих комплексов и приводит к образованию плоских микродефектов внедренного типа с орторомбической симметрией поля смещений и, в основном, сферических пор с соответствующей симметрией поля смещений
