Описана пикосекундная экспериментальная установка для формирования импульсов высокого напряжения, 30-250 кВ, с длительностью 100-500 пс и электронных пучков с плотностью тока до 1000 А · см-2. При построении установки применен принцип компрессии энергии импульса наносекундного высоковольтного генератора с последующим обострением и срезом импульса. Установка снабжена двумя испытательными коаксиальными камерами для возбуждения излучения в полупроводниковых кристаллах электронным пучком или электрическим полем в воздухе при атмосферном давлении и температуре 300 К. При полевой и электронной накачке получена генерация лазерного излучения на кристаллах ZnSSe, ZnSe, ZnCdS, CdS в видимом диапазоне (462, 480, 515, 525 нм соответственно). При полевом воздействии (до 106 В · см-1) размер области лазерной генерации достигал 300-500 мкм. Расходимость излучения не превышала 5°. Максимальная интегральная мощность излучения 6 кВт ( = 480 нм) получена при полевой накачке образца из селенида цинка с одним диэлектрическим зеркалом.

Приборы и техника эксперимента [Текст] : научный журнал / РАН. — М.

• УДК // Електрика. Магнетизм. Електромагнетизм