В работе показано, что диаграммы , по-строенные на основе спектральных зависимостей реальной и мнимой частей ком-плексной диэлектрической проницаемости, отличаются площадью, числом дуго-образных участков и числом спектрально нестабильных участков. Анализ измене-ний их вида в процессе эксплуатации фотоприемников на основе кристаллов CdZnTe позволяет осуществлять контроль обратимых и необратимых изменений функциональных характеристик сенсоров, так как диаграммы дают возможность: а) четко определять спектральные границы неустойчивости диэлектрического отклика; б) количественно оценивать скорость необратимых из-менений по соотношению площадей соответствующих петлеобразных участков диаграмм; в) выявлять индивидуальные особенности диэлектрического отклика.
