Приводятся результаты по разработке, изготовлению и испытаниям экспериментальных образцов матриц памяти, использующей в качестве элемента памяти самоформирующиеся проводящие наноструктуры, которые образуются в электроформованных открытых «сэндвич»-структурах Si-SiO2-W. Продемонстрированы возможность практического использования и уникальное сочетание потребительских качеств такой памяти: высокие быстродействие, температурная и радиационная стойкость, потенциально высокая плотность записи информации, а также возможность изготовления стандартными методами кремниевой технологии.
