Рассмотрены характеристики переключающих диодов на основе GaAs с глубокими примесными центрами. Приборные структуры формируются в процессе контролируемого введения в n-GaAs примесей с глубокими акцепторными уровнями. Структуры имеют в обратной ветви вольт-амперной характеристики участок отрицательного дифференциального сопротивления (о.д.с.) и при переключении из высокоомного в высокопроводящее состояние позволяют формировать электрические импульсы с фронтами 40–50 пс и амплитудой до 1000 В. Систематизированы ранее опубликованные и вновь полученные результаты, кратко излагаются методы изготовления GaAs-структур с глубокими центрами и диодов и их основные характеристики, детально обсуждаются природа формирования в таких структурах о.д.с. и механизм переключения на участке о.д.с. при лавинном пробое, приводятся примеры использования S-диодов в импульсной технике.
