Рассмотрен метод изготовления полевого транзистора на основе кремниевого нанопровода из кремния-на-изоляторе (КНИ). Процесс формирования транзистора упрощен и не использует этапы допирования и последующей активации. Особенности конструкции устройства связаны с барьерами Шоттки, образованными в областях контактов металлических (Ti) электродов с истоком и стоком транзистора. Измерены вольт-амперные характеристики экспериментальных структур в широком диапазоне (?10 ... +10 В) значений напряжения на затворе. Анализируется возможность использования полевого транзистора на основе кремниевого нанопровода в качестве сверхчувствительного полевого/зарядового сенсора
