Изучены особенности развития клиновидных двойников в монокристаллах висмута с полисинтетическими двойниками. Установлено, что полисинтетические двойники способствуют увеличению числа и уменьшению длины клиновидных двойников, возникающих вблизи отпечатка индентора. Данные параметры зависят от плотности двойников в полисинтетическом двойнике. На основе дислокационной модели на мезоскопическом уровне рассчитаны поля напряжений вблизи клиновидного и полисинтетического двойников.

Прикладная механика и техническая физика [Текст] // Прикладная механика и техническая физика - Новосибирск : РАН. — Новосибирск : РАН, 2008.

• УДК // Ріст кристалів. Кристалічні агрегати