Зведений каталог бібліотек Харкова
Петросянц, К. О. Особенности моделирования SiGe:С гетеропереходного биполярного транзистора [Текст] / Московский институт электроники и математики, г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — C. 30-34.
- Анотація:
Рассмотрены особенности моделирования SiGe:C гетеропереходных биполярных транзисторов (ГБТ). Методом приборно-технологического моделирования исследованы зависимости граничной частоты ft и напряжения пробоя BV cbo коллекторного перехода SiGe:C ГБТ от концентрации углерода в базе.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2009.
- Теми документа
