Представлена лазерно-дифракционная методика формирования регулярного массива (решетки) кластеров кремния в системе кремний - диоксид кремния, основанная на процессе локального лазерного испарения вещества. Определена пороговая мощность лазера, превышение которой сопровождается возникновением на окисленной поверхности кремния нанокластеров кремния в виде регулярной решетки.

Известия высших учебных заведений. Приборостроение. [Текст] / МО РФ, СПб ГУИТМО. — СПб.

• УДК // Електронні напівпровідники
• УДК // Механічна конструкція. Конструктивні матеріали та компоненти
• УДК // Провідники та напівпровідники залежно від матеріалу виготовлення