|
Автор: Гаврилов С.А., Дронов А.А., Шевяков В.И., Белов А.Н., Полторацкий Э.А.
-
Анотація:
Проведено исследование влияния конструктивного параметров, электрофизических свойств и технологических режимов формирования на эффективность фотоэлектрического преобразования солнечных элементов с экстремально тонкими поглощающими слоями на основе гетероструктуры SnO2:F/TiO2/In2S3/InxPb1-xS/CuSCN. Показано, что снижение сопротивления за счет увеличения шероховатости и уменьшения среднего размера зерен пленок TiO2 достигается при нанесении золь-гель методом в условиях повышенной влажности. Применение Ni в качестве контактного металла к планаризующему слою CuSCN обеспечивает пониженное значение переходного сопротивления. Оптимизация последовательного сопротивления пленки TiO2 и контактного сопротивления к слою CuSCN обеспечили более чем 4-х кратное увеличение КПД фотоэлектрических преобразователей. Сформированные в оптимальных технологических режимах структуры солнечных элементов продемонстрировали следующие характеристики: 1кз = 9 мА/см2, U = 720 мВ, КПД = 2.9 %.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електрична дія світла. Фотоелектричні явища. Фотоелектричний ефект
-
УДК // Нанотехнологія
|
