Разработан программный пакет SilSim3D для моделирования методом Монте-Карло кинетики роста, испарения и отжига тонких слоев на твердых подложках на основе оригинального алгоритма планирования событий на реальной шкале времени. Модель позволяет имитировать разнообразные технологические процессы наноэлектроники в многокомпонентных физико-химических системах с числом частиц более 107 за промежутки времени, сопоставимые с экспериментом. В данной работе в качестве примера приведено моделирование начальных стадий процесса послойного атомного осаждения и роста кремниевых нановискеров.

Российские нанотехнологии [Текст] // . — М., 2009.

• УДК // Нанотехнологія
• УДК // Спеціальна геометрія і взаємодія з частинками та випромінюванням
• УДК // Стохастична апроксимація. Методи Монте-Карло
• УДК // Фізика конденсованої матерії. Фізика твердого тіла