Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Стемпковский, А. Л.
    Вероятности напряженного состояния транзисторов для временного анализа с учетом электротемпературной нестабильности [Текст] / Институт проблем проектирования в микроэлектронике РАН, г.Москва, Россия // . — С. 32-38.


- Анотація:

Нестабильность, вызванная отрицательным смещением и температурой (НОСТ, англоязычная a66ревиатура — NBTI) становится одним из основных механизмов, вызывающих деградацию быстродействия интегральных схем. Хорошоизвестно, что НОСТ влияет на p-канальные МОП-тpaнзисmopы в ходе pаботы схемы, и дeгpaдaцuя имеет место, когда p-тpaнзистop находится в проводящем состоянии. Поэтому точный анализ НОСТ-дeгpaдaцuu требует paссмompeнuя логики paбomы схемы. Дeгpaдaцuя конфетного p-тpaнзистopa зависит от той части вpeмeнu работы схемы, в течение которой тpaнзистор находится в наряженном состоянии, иначе говор, от вepoяmнoсmu наряженного состояния. В настоящей работе предлагается aлгopumм кoррeкmнoгo вычисления вероятности наряженного состояния для каждого p-mpaнзисmopa в сложном КМОП-вентиле. По сравнению с простым "наивным " подходом предлагаемый алгоритм учитывает два дополнительных фактора: корреляции между сигналами на входах вентиля и потенциал питания, поступающий через "'нижний" узел p-тpaнзистopa. Численные эксnepuмeнmы noдmвepждaюm важность учета обоих этих фaкmopoв. Ключевые слова: временной анализ СБИС, КМОП-вентиль, нестабильность, вызванная отрицательным смещением и температурой (НОСТ).

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Механічна конструкція. Конструктивні матеріали та компоненти



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт