Рассматривается влияние сильных электрических полей, созданных острием СТМ, на положение и форму резонансных особенностей туннельных спектров точечных дефектов и единичных наноструктур. Показано, что учет нелинейного Штарк-эффекта в теории резонансного туннелирования позволяет предсказать ряд качественно новых спектроскопических эффектов, каждый из которых может быть использован с целью восстановления электронных поляризуемостей зондируемых состояний. Описан новый, «поляризационный» механизм формирования отрицательных дифференциальных сопротивлений (ОДС) туннельных наноконтактов. Интерпретированы результаты экспериментов по резонансному туннельному зондированию точечных дефектов нанооксидов вольфрама, одиночных атомов Pd и молекул CuPc (металло-фталоцианина), осажденных на ультратонкие пленки оксидов алюминия.
