Исследовано распределение индукции магнитного поля в ускоряющем промежутке ионного диода с внешней магнитной изоляцией, отличительной особенностью которого является отсутствие устройства для предварительной наработки плазмы. Показано, что определенная конфигурация магнитного поля у поверхности анода позволяет увеличить к.п.д. ионного диода до 70%, при этом плотность ионного тока в фокусе диода достигает 350 А/см2.
