Прогресс в области технологии силовых приборов на базе структуры GaN- на - кремнии позволяет существенно улучшить такие параметры полевых транзисторов как сопротивление канала на емкость затвора. В статье обсуждаются новые возможности и перспективы построения высокоэффективных преобразователей напряжения на базе GaN-полевых транзисторов.
