Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) - это полупроводниковые приборы, в основе которых лежит многослойная структура. Они состоят из маломощного полевого и мощного биполярногго транзисторов, выполненных в едином технологическом цикле из кристалла прлупроводникового материала.
