Разработан источник пара, в котором распыляемая ионами аргона с энергией 1–4 кэВ плоская мишень диаметром 80 мм и толщиной 15 мм установлена на дне изолированного от нее полого катода диаметром 120 мм и глубиной 70 мм. Постоянный магнит создает аксиально-симметричное неоднородное магнитное поле с индукцией на распыляемой поверхности мишени до 20 мТл, силовые линии которого расходятся от мишени и пересекают поверхность катода. Бомбардировка катода эмитируемыми мишенью вторичными электронами с энергией 1–3 кэВ позволяет повысить ток его электронной эмиссии и снизить рабочее давление аргона до 0.05 Па, при котором распыленные атомы долетают до подложки без столкновений с исходной энергией в десятки электронвольт. Это повышает качество покрытия, например состава Ti3SiB2, скорость осаждения которого на подложку, удаленную от мишени на 0.1–0.2 м, при токе в цепи мишени 1 А и энергии распыляющих ионов 3 кэВ составляет 10–20 мкм/ч и на порядок превышает скорость осаждения при ее распылении в магнетронном разряде с током 1 А и энергией ионов 300–500 эВ.

Приборы и техника эксперимента [Текст] : научный журнал / РАН. — М.

• УДК // Розряди в газах при низькому тиску. Тліючі розряди