Описывается установка для выращивания монокристаллов из раствора-расплава методом Киропулоса. Установка имеет двухзонную ростовую печь, механизмы перемещения и вращения кристаллодержателя, а также систему управления на основе I-7188EG-контроллера со встроенной целевой системой ISaGRAF. Верхняя и нижняя зоны печи состоят из восьми нагревательных элементов, позволяющих управлять симметрией теплового поля как в статическом, так и в динамическом (вращение теплового поля) режимах. На примере выращивания кристаллов LiB3O5 показана высокая эффективность работы установки.
