Зведений каталог бібліотек Харкова
Бахвалова, С. А. Определение парам етров нелинейной модели мощных GaAs MESFET полевых транзисторов [Текст] / Московский государственный институт электронной техники, г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 29-33.
- Анотація:
Предложена методика определения параметров модели Ангелова применительно к мощным GaAs MESFET-транзисторам. Определен минимальный набор параметров модели, позволяющий получить хорошее соответствие расчетных и экспериментальных вольт-амперных характеристик для ряда мощных транзисторов известных фирм.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2009.
- Теми документа
