С помощью разработанной MPI-программы, которая базируется на использовании метода регуляризации, рассчитана плотность фононных состояний для кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 с температурной зависимости теплоемкости. Найденные плотности фононных состояний кристаллов Sn2P2S6 и Sn2P2Se6 находятся в хорошем согласовании с результатами исследования методом неупругого некогерентного рассеянии нейтронов. Ключевые слова: халькогениды, сегнетоэлектрики, теплоемкость кристалла, кластерный метод, фазовый переход, форма кластера, размер кластера.
