Зведений каталог бібліотек Харкова
Царик, К. А. Формирование и исследование наногетероструктур AlGan/GaN с применением атомно-силовой микроскопии [Текст] / Московский государственный институт электронной техники, г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2009. — С. 44-49.
- Анотація:
Разработана методика получения слоев нитридов третьей группы с пониженным количеством дефектов, основанная на молекулярно-лучевой эпитаксии, при контроле поверхности с помощью сканирующей зондовой микроскопии.
- Є складовою частиною документа:
Известия вузов. Электроника. [Текст] // Известия вузов. Электроника ; Министерство образования РФ, Московский государственный институт электронной техники - М. : МИЭТ. — 2009.
- Теми документа
