Описывается установка для измерения температурной зависимости показателя преломления n(T) полупроводников и диэлектриков в диапазоне температур 300–700 К на длинах волн He–Ne-лазера = 0.633, 1.15 и 3.39 мкм. Образцы в виде плоскопараллельных пластинок выполняют роль эталонов Фабри–Перо, оптическая толщина которых изменяется с температурой. При нагревании и последующем остывании образца регистрируются интерференционные осцилляции интенсивности отраженного света, по которым определяется зависимость n(T). Значения показателя преломления при комнатной температуре и коэффициента термического расширения, используемые для вычислений, берутся из литературы. Сравнение интерферограмм, полученных при нагревании и остывании, позволяет оценить разность температур зондируемого участка образца и измерительной термопары. Относительная погрешность определения термооптического коэффициента dn/dT в диапазоне 300–700 К не превышает 1%.
