Современные силовые устройства преобразования параметров электроенергии строятся на силовых полупроводниковых ключах, отличающихся от биполярных транзисторов. Особое место среди них занимают рассматриваемые в статье IGBT технологии, т.е устройства с использованием БТИЗ транзисторов.
