Найдено аналитическое решение задачи о распространении продольных акустоэлектрических волн в многослойных AlGaN/GaN-гетероструктурах. Если толщины гетерослоев значительно меньше длины волны, точное дисперсионное уравнение, полученное для двух слоев, переходит в уравнение для волны Лява, содержащее акустоэлектрические параметры подложки и только одного контактирующего с ней гетерослоя. Полученные результаты легко обобщаются для многослойных гетероструктур. Если толщина каждого из слоев намного меньше длины волны, то ее фазовая скорость и параметры распространения будут зависеть от пьезоэлектрических параметров подложки и непосредственно контактирующего с ней гетерослоя.
