Зведений каталог бібліотек Харкова

 

Шадов, М. Б.
    Особенность реализации метода затухания фотопроводимости при измерении рекомбинационных параметров полупроводника [Текст] / Московский государственный институт электронной техники, г.Москва, Россия // Известия вузов. Электроника. — 2010. — С. 75-79.


- Анотація:

Проведен расчет зависимости концентрации избыточных носителей заряда от времени в процессе затухания фотопроводимости. В расчете учтено нарушение локальной электронейтральности, что привело к необходимости использовать в системе уравнений, описывающих данный процесс, уравнение Пуассона. В результате разрешения новой системы получено весьма громоздкое нелинейное дифференциальное уравнение. Установлены критерии, при соблюдении которых это уравнение сводится к хорошо известному, традиционно используемому для описания процесса затухания фотопроводимости после обрыва светового импульса.

- Є складовою частиною документа:

- Теми документа

  • УДК // Електронні напівпровідники



Наявність
Установа Кількість Документ на сайті установи
Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського   Перейти на сайт