Изготовлены и исследованы при температурах от 50 мК до 3 К различные тонкопленочные структуры на основе алюминия. Многослойные пленки алюминия и кремния, алюминия и хрома, алюминия в присутствии кислорода наносили методом термического испарения. Для пленок из чистого алюминия с уменьшением толщины пленки от 20 до 3 нм температура сверхпроводящего перехода возрастала от 1.3 до 2.45 К. Увеличение давления кислорода до 5 · 10–6 мбар при напылении пленок алюминия приводило к возрастанию критической температуры до 2.4 К. Наличие подслоя хрома толщиной <0.5 нм может приводить к полному подавлению сверхпроводимости, тогда как более толстый слой, 1–4 нм, напыленный при более высокой температуре с предраспылением, слабее снижает критический ток двухслойных пленок Al/Cr. С использованием микроскопа атомных сил исследована морфология поверхности, зернистость, шероховатость изготовленных пленочных структур. Наименьшая линейная шероховатость составила 0.29 нм для пленки толщиной 3 нм, что указывает на преимущество использования более тонких пленок для создания равномерного туннельного барьера.
