Описывается установка магнетронного распыления тонкопленочных покрытий, предназначенная для нанесения геттерных покрытий в протяженных вакуумных структурах сложной апертуры. Примененный в установке соленоид (600 мм, длиной 6000 мм и максимальным полем 800 Гс) позволяет распылять материалы на внутренние стенки вакуумных камер практически всех типов, используемых в современных ускорителях. Представлены результаты нанесения геттерного покрытия TiZrV в малоапертурных алюминиевых вакуумных камерах, предназначенных для установки в прямолинейных секциях источника синхротронного излучения PETRA III (DESY, Германия). Атомный состав и однородность пленки по длине исследованы в ИЯФ СО РАН на канале SR-XRF-анализа.
