|
Автор: Горбунов А.В., Демихов Е.И., Дорожкин С.И., Мелетов К.П., Тимофеев В.Б.
-
Анотація:
Описана конструкция криостата с откачкой паров 3He, предназначенного для оптических измерений с высоким пространственным разрешением в диапазоне температур 0.45–4.2 К. Криостат снабжен четырьмя окнами из плавленого кварца. Исследуемый образец устанавливается внутри камеры с жидким 3He на держателе, минимизирующем влияние вибраций и термических дрейфов, и может находиться в камере при температуре 0.45 К более 20 ч. С помощью криостата изучена фотолюминесценция полупроводниковых GaAs/AlGaAs гетероструктур. Обнаружено, что в структуре с двумя туннельно-связанными квантовыми ямами GaAs шириной 120 A порог мощности накачки, необходимой для возникновения узкой спектральной линии, соответствующей бозе-конденсату пространственно-непрямых диполярных экситонов, уменьшается в 6 раз при понижении температуры от 1.5 до 0.45 К. В образце с широкой (250 A) одиночной квантовой ямой GaAs при температуре 0.45 К получены картины распределения люминесценции диполярных экситонов внутри 5-микронной кольцевой потенциальной ловушки, имеющие пространственное разрешение не хуже 1.5 мкм.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Автоматика. Техніка автоматичного керування і регулювання. Високі технології. Смарт-технології
-
УДК // Основні принципи та теорія вимірю-вання i розробки вимірювальних приладів. Методи вимірювання
-
УДК // Приладобудування загалом. Прилади. Вимірювальна техніка та її виробництво. Ваги. Пристрої для зважування
|
