Изучены процессы, влияющие на возникновение отказов смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов с составом слоев гетероструктуры GaAs-AlGaAs. Оптимальное проектирование ведется с учетом технологических факторов. Представлены результаты теоретических и экспериментальных исследований; раз-работана методика по определению показателей надежности смесителей радиосигналов на основе резонансно-туннельных диодов.

Успехи современной радиоэлектроники [Текст] // Успехи современной радиоэлектроники ( до 2003 г. "Зарубежная радиоэлектроника") - М. : Радиотехника. — 2010.

• УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи