Автор: Амосов В.Н., Азизов Э.А., Бланк В.Д., Гвоздева Н.М., Корнилов Н.В., А.В.Красильников, М.С.Кузнецов, С.А.Мещанинов, Носухин С.A., Родионов Н.Б., Терентьев С.А.
-
Анотація:
Обсуждаются результаты экспериментального исследования образцов подложек из монокристаллического синтетического алмаза, легированного бором, и выращенных на них тонких гомоэпитаксиальных алмазных пленок с заданными свойствами. Изучена однородность подложек и пленок. На базе выращенных алмазных структур изготовлены алмазные детекторы. Определена чувствительность изготовленных детекторов к различным типам излучений (у.ф., рентгеновское, -излучение, -частицы и быстрые нейтроны) в стационарном и импульсном режимах облучения.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електроніка. Мікроелектроніка
|