Описывается метод импульсных измерений с.в.ч.-фотопроводимости и фотодиэлектрического эффекта в диапазоне 36 ГГц. Метод позволяет проводить бесконтактные измерения электрических свойств полупроводников, исследовать кинетику электрон-ионных процессов с участием свободных и локализованных в ловушках носителей тока, получать данные о временах жизни и подвижностях носителей тока в нано- и микросекундном диапазоне времен. Временное разрешение системы регистрации – 5 нс. Метод основан на регистрации кинетики изменения добротности резонатора и сдвига резонансной частоты, вызванных изменением под действием света комплексной диэлектрической проницаемости. Представлены результаты измерения температурной зависимости с.в.ч.-фотопроводимости в образце p-CdTe, легированном 0.25 мол. % Ag2Te и CdSe.
