Приведен обзор результатов экспериментального исследования токовых неустойчивостей в резонансно-туннельных диодах.Основное внимание уделено пороговой отрицательной дифференциальной проводимости, при которой зарождаются неустойчивости, и ее зависимости от параметров внешней цепи и магнитного поля.
