Опис документа

Абашин, С. Л.
Влияние диэлектрической релаксации на результаты бесконтактного измерения удельного электросопротивления высокоомных кристаллов CdZnTe [Текст] / Национальный аэрокосмический университет им.Н.Е.Жуковского "ХАИ", г.Харьков, Украина // Радиофизика и электроника : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — С. 71-77.

Автор: Абашин С.Л., Комарь В.К., Наливайко Д.П., Олейник С.В., Пузиков В.М., Ром М.А., Сулима С.В., Чугай О.Н.

- Анотація:

Установлено различие величин удельного электросопротивления р кристаллов Cd1-xZnxTe, измеренных в постоянном и переменном электрических полях. Показано, что это различие связано с диссипацией энергии переменного электрического поля, обусловленной диэлектрической релаксацией.

- Є складовою частиною документа:

Радиофизика и электроника [Текст] : сб. науч. тр. / НАН Украины, Ин-т радиофизики и электроники им. А. Я. Усикова ; редкол. : Яковенко В. М. (гл. ред.) и др. — Харьков : ИРЭ НАН Украины, 2005. — 490 с.

- Теми документа

Праці співробітників ХАІ // Абашин С.Л.
УДК // Електричні властивості діелектриків
Праці співробітників ХАІ // Олійник С.В./Олейник С.В./Oliinyk S.
Праці співробітників ХАІ // Праці співробітників ХАІ/Труды сотрудников ХАИ
Праці співробітників ХАІ // Чугай О.М./Чугай О.Н.

Наявність

Установа Кількість Документ на сайті установи

Науково-технічна бібліотека Національного аерокосмічного університету ім. М.Є. Жуковського Перейти на сайт