Представлены результаты исследования вольт-амперных характеристик лавинных переключающих S-диодов. Показано, что для S-диодов на основе структур, полученных диффузией Cr в GaAs, при обратном смещении бoльшая часть приложенного напряжения падает на высокоомной -области, а не на области объемного заряда. При этом резкий рост тока обусловлен инжекцией электронов с прямосмещенного контакта к -слою. В связи с этим исследован новый тип структур на основе GaAs, легированного Cr и Fe (GaAs:Cr, Fe). Показано, что в S-диодах на основе (GaAs:Cr, Fe)-структур при обратном смещении рост тока обусловлен лавинными процессами в области объемного заряда. Это приводит к формированию участка отрицательного дифференциального сопротивления с субнаносекундным переключением из закрытого состояния в открытое. Напряжения переключения S-диодов из (GaAs:Cr, Fe)-структур составляют 350–650 В, времена переключения не превышают 0.5 нс.
