|
Автор: Ткаченко О.А., Ткаченко В.А., Квон З.Д., Латышев А.В., Асеев А.Л.
-
Анотація:
Полупроводниковые квантовые наноэлектронные устройства являются одним из достижений современной физики и лабораторных нанотехнологий. Короткие тонкие токовые каналы формируются электрическими полями в двумерном электронном газе глубоко под поверхностью этих устройств. В данной работе на примерах по изготовлению и иссследованию наноустройств введено представление о вычислительной интроскопии, которая является органическим продолжением структурной и электрофизической диагностики и помогает восстанавливать картину скрытых процессов и явлений, происходящих в устройстве.
-
Є складовою частиною документа:
-
Теми документа
-
УДК // Електронні пристрої із використанням властивостей твердого тіла. Напівпровідникові елементи
-
УДК // Ефекти електричного поля
-
УДК // Квантова теорія. Квантова механіка
-
УДК // Нанотехнологія
| 