Рассмотрены основные проблемы, возникающие при проектировании низковольтных СБИС с применением программных средств САПР. Проведено моделирование электронных ключей на однополярных n-канальных МОП-транзисторах и на комплементарных МОП-транзисторах. При этом была использована модель МОП-транзистора, учитывающая эффекты короткого и узкого каналов, модуляцию длины канала, подпороговую проводимость, неоднородность распределения примеси, паразитное сопротивление истока/стока и др. На основе результатов моделирования сделан вывод о том, что при проектировании низковольтных СБИС в схемах переключения необходимо использование ключей на КМОП-транзисторах. Ключевые слова: сверхбольшие интегральные схемы, системы автоматизации проектирования, КМОП-транзистор.
