Шляхом прямого та зворотного дискретного вейвлет-аналізу зображень травлених поверхонь {111} кристалів ZnSe:X (X=Te, Cu, Mg) та ZnSe виявлено різномасштабні угрупування дефектів структури, що формують структуру динамічного фотовідклику при комбінованому фотоелектрозбудженні. В рамках ентропійного підходу показана ефективність представлення кінетики фотоструму I(t) в виді сигнатури I(t) - dI/dt фазового простору. При цьому представлення площі сигнатури I(t) - dI/dt в виді множини дозволених фотоіндукованих динамічних станів дозволило провести декомпозицію кінетики фотоструму I(t) на складові, визначити їх парціальні вклади, ступінь взаємозв'язку та запропонувати інтегративний показник збалансованості фотоіндукованих станів. В результаті виявлено безпосередній зв'язок складного НДС зразків з особливостями динамічної структури їх фотовідклику, що може бути використано для вирішення ряду взаємозв'язаних технологічних, діагностичний і експлуатаційних проблем сенсорних кристалів ZnSe:X (X=Te, Cu, Mg) і ZnSe. Ключові слова: сенсори, дефекти структури , фотовідклик, сигнатурний аналіз, вейвлет-аналіз.
