Приведен алгоритм решения обратной задачи спада фотопроводимости в полубесконечном полупроводниковом образце (слитке). Для определения рекомбинационных параметров полупроводника - времени жизни неосновных носителей заряда в объеме полупроводника и скорости поверхностной рекомбинации неосновных носителей заряда нам его поверхности - применялась импульсная засветка поверхности образца световыми импульсами конечной длительности.
